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FDD6606中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD6606
廠商型號

FDD6606
功能描述

N-channel Advanced Mode Power MOSFET
文件大小

1.04327 Mbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡稱

Bychip【百域芯】

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-11 13:33:00
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FDD6606規(guī)格書詳情

Features

? VDS= 40V, ID= 150A

RDS(ON) < 2 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 3 mΩ @ VGS = 4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產品屬性

  • 型號：

    FDD6606

  • 功能描述：

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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