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FDD3N50NZTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD3N50NZTM	文件：550.45 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 500V, 2.5A, 2.5?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD3N50NZTM	文件：1.07853 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
FDPF3N50NZ	文件：328.59 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET? Description UniFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravalanc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDPF3N50NZ	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDPF3N50NZ	文件：323.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconve	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQD3N50C	文件：1.04346 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50C	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50C	文件：900.22 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50CTF	文件：900.22 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50CTF	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50CTM	文件：900.22 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQD3N50CTM	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP3N50C	文件：1.26958 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQP3N50C	文件：301.6 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQPF3N50C	文件：1.26958 Mbytes Page：10 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQPF3N50C	文件：277.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FQU3N50C	文件：900.22 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU3N50C	文件：907.53 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FQU3N50C	文件：1.04346 Mbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
FDD3N50NZTM
功能描述：
MOSFET UNIFET2 500V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市坤融電子科技有限公司	FDD3N50NZTM	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-252	8950	BOM配單專家,發(fā)貨快,價格低	詢價
中天科工半導體（深圳）有限公司	FDD3N50NZTM	onsemi	24+	TO-252AA	30000	晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品	詢價
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更多FDD3N50NZTM供應商更新時間2024-10-28 16:36:00

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