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FDD18N20LZ中文資料百域芯數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDD18N20LZ
廠商型號(hào)

FDD18N20LZ

功能描述

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件大小

824.63 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Bychip百域芯

中文名稱

深圳市百域芯科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 10:04:00

FDD18N20LZ規(guī)格書詳情

Features

? VDS= 200V, ID= 24 A

RDS(ON) < 62 mΩ @ VGS = 10V

RDS(ON) < 120mΩ @ VGS =4.5V

General Features

● Advanced Trench Technology

● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate

Charge

● Lead Free and Green Available

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDD18N20LZ

  • 功能描述:

    MOSFET 200V NChannel UniFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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