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FD900R12IP4D

PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, groberer Emitter Controlled 4 Diode

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FD900R12IP4DV

Technische Information / Technical Information

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FD900R12IP4DBOSA1

Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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FD900R12IP4DVBOSA1

Package：模塊；包裝：托盤 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - IGBT - 模塊 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W

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FF900R12IP4

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF900R12IP4

PrimePACK2ModulmitTrench

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FF900R12IP4

PrimePACK2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFeatures ?4kVAC1minInsulation ?Package

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FF900R12IP4D

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,gr??ererEmitterControlled4DiodeundNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShortCircuitCurrent ?UnbeatableRobustness ?EnlargedDiodeforregenerativeoperation ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?LowVCEsat MechanicalFea

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FF900R12IP4D

EvaluationDriverBoardfor1200VPrimePACK?

1Introduction The2ED250E12-FevaluationdriverboardshowninFig.1wasdevelopedtosupportcustomersduringtheir firstdesignstepswiththe1200VPrimePACK?IGBTmodule.Theevaluationdriverboardisafully functionalIGBTmoduledriverwheretwo1ED020I12-FdriverICprocesscontrola

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FF900R12IP4DV

PrimePACK?2modulewithTrench/FieldstopIGBT4,enlargedEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ? HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShort CircuitCurrent ?LowVCEsat ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient ?EnlargedDiodeforregenerativeoperation Mechanica

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FF900R12IP4P

PrimePACK??ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode

ElectricalFeatures ?Highshort-circuitcapability ?Highsurgecurrentcapability ?Highcurrentdensity ?Tvjop=150°C ?VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient MechanicalFeatures ?4kVAC1mininsulation ?PackagewithCTI>400 ?Highcreepageandclearancedistances ?Integra

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FF900R12IP4V

PrimePACK?2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

ElectricalFeatures ?ExtendedOperationTemperatureTvjop ?HighDCStability ?HighShortCircuitCapability,SelfLimitingShort CircuitCurrent ?LowVCEsat ?UnbeatableRobustness ?VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanicalFeatures ?4kVAC1minInsulation ?Packag

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FR900R12IP4D

PrimePACK?3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode

ElectricalFeatures ?Highshort-circuitcapability ?Highcurrentdensity ?LowVCEsat ?Tvjop=150°C ?VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient ?Enlargeddiodeforregenerativeoperation MechanicalFeatures ?4kVAC1mininsulation ?PackagewithCTI>400 ?Highcreepageand

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    FD900R12IP4D

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT 1200V 900A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Infineon(英飛凌)
23+
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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主打模塊,大量現(xiàn)貨供應(yīng)商QQ2355605126
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公司只售原裝,支持實單
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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更多FD900R12IP4D供應(yīng)商 更新時間2025-1-18 23:00:00

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