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FCU7N60	文件：1.07171 Mbytes Page：9 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFETis,Farichild’sproprietary,newgenerationofhighvoltageMOSFETfamilythatisutilizinganadvancedchargebalancemechanismforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance. Features ?650V@TJ=150°C ?Typ.Rds(on)=0.53? ?Ultralowga	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD7N60NZ	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDD7N60NZ	文件：331.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDD7N60NZTM	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP7N60NZ	文件：354.58 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDP7N60NZ	文件：333.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=6.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDPF7N60NZ	文件：285.95 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelMOSFET600V,6.5A,1.25?	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF7N60NZ	文件：354.58 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FDPF7N60NZ	文件：296.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FDU7N60NZTU	文件：668.7 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGB7N60UNDF	文件：754.78 Kbytes Page：9 Pages	600V,7AShortCircuitRatedIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：861.28 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP7N60RUFD	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP7N60RUFDTU	文件：1.7082 Mbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60LSD	文件：791.85 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ALowSaturationIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providesverylowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforLampapplicationswhereverylowOn-VoltageDropisarequiredfeature. Features ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC=7A ?Highinputimp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60RUFD	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGPF7N60RUFDTU	文件：902.05 Kbytes Page：9 Pages	600V,7ARUFIGBTCO-PAK Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FIR7N60AALG	文件：4.14763 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N60ABPG	文件：4.14763 Mbytes Page：9 Pages	600VN-ChannelMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR7N60BPG	文件：4.33249 Mbytes Page：7 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-I	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER

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詳細參數(shù)

型號：
FCU7N60
制造商：
FAIRCHILD
制造商全稱：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
600V N-Channel MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FCU7N60	FAIRCHILD	24+	TO-251(IPAK)	8866		詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FCU7N60	FAIRCHILD	23+	TO-251(IPAK)	12909	全新原裝	詢價
深圳市鵬和科技有限公司	FCU7N60	FAIRCHILD	24+	TO-251-3	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FCU7N60	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
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瀚佳科技(深圳)有限公司	FCU7N60	FAIRC	2020+	TO-251(IPAK)	16800	絕對原裝進口現(xiàn)貨,假一賠十,價格優(yōu)勢!?	詢價
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深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	FCU7N60	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-251(IPAK)	10000	公司只做原裝正品	詢價
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更多FCU7N60供應(yīng)商更新時間2024-10-26 10:50:00

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