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FCPF190N60E	文件：237.31 Kbytes Page：10 Pages	600V N-Channel MOSFET Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCPF190N60E	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCPF190N60E	文件：647.03 Kbytes Page：10 Pages	FCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCPF190N60E	文件：314.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FCPF190N60E-F154	文件：254.7 Kbytes Page：10 Pages	MOSFET – N-Channel, SUPERFET II 600 V, 20.6 A, 190 m Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand?newhigh voltagesuper?junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon?resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FCPF190N60E-ND	文件：647.03 Kbytes Page：10 Pages	FCP190N60E / FCPF190N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 20.6 A, 190 m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FCP190N60	文件：301.63 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FCP190N60	文件：342.71 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSuperFETIIMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FCP190N60E	文件：237.31 Kbytes Page：10 Pages	600VN-ChannelMOSFET Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor’sbrand-newhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimizeconductionloss,provides	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FCP190N60E	文件：332.79 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=20.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
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FCPF190N60	文件：292.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

詳細參數(shù)

型號：
FCPF190N60E
功能描述：
MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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