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FCH060N80

MOSFET ??N-Channel, SUPERFET II 800 V, 58 A, 60 m

Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand?newhigh voltagesuper?junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon?resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FCH060N80

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FCH060N80-F155

Marking：FCH060N80；Package：TO-247-3LD；MOSFET ??N-Channel, SUPERFET II 800 V, 58 A, 60 m

Description SUPERFETIIMOSFETisONSemiconductor’sbrand?newhigh voltagesuper?junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingcharge balancetechnologyforoutstandinglowon?resistanceandlowergate chargeperformance.Thistechnologyistailoredtominimize conductionloss,providesuper

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多FCH060N80供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-24 14:30:00

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