首頁>F3L30R06W1E3_B11>詳情

F3L30R06W1E3_B11_INFINEON/英飛凌_IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 30A中天科工集團(tuán)

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    F3L30R06W1E3_B11

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    8513

  • 產(chǎn)品封裝：

    MODULE

  • 生產(chǎn)批號：

    專業(yè)模塊

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-15 19:04:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：F3L30R06W1E3_B11品牌：INFINEON/英飛凌

模塊原裝主營-可開原型號增稅票

  • 芯片型號：

    F3L30R06W1E3_B11

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大小：

    575.21 kb

  • 資料說明：

    EasyPACK module with Trench/Feldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and PressFIT / NTC

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    F3L30R06W1E3_B11

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 IGBT MODULES 600V 30A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    13128990370

  • 詢價：
  • 電話：

    13128990370/微信同號

  • 傳真：

    原裝正品

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)賽格廣場54層5406-5406B

相近型號