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MJB2955

iscSiliconPNPPowerTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MJD2955

COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS

DESCRIPTION TheMJD2955andMJD3055formcomplementaryPNP-NPNpairs.TheyaremanufacturedusingEpitaxialBasetechnologyforcost-effectiveperformance. ■STMicroelectronicsPREFERRED SALESTYPES ■SURFACE-MOUNTINGTO-252(DPAK) POWERPACKAGEINTAPE&REEL (SUFFIXT4)

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MJD2955

GeneralPurposeAmplifierLowSpeedSwitchingApplicationsD-PAKforSurfaceMountApplications

GeneralPurposeAmplifier LowSpeedSwitchingApplications D-PAKforSurfaceMountApplications ?LeadFormedforSurfaceMountApplications(NoSuffix) ?StraightLead(I-PAK,“-I“Suffix) ?ElectricallySimilartoPopularMJE2955T ?DCCurrentGainSpecifiedto10A ?HighCurrentG

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

MJD2955

ComplementaryPowerTransistors

MJD2955(PNP) MJD3055(NPN) SILICONPOWERTRANSISTORS10AMPERES60VOLTS,20WATTS DPAKForSurfaceMountApplications Designedforgeneralpurposeamplifierandlowspeedswitchingapplications. Features ?LeadFormedforSurfaceMountApplicationsinPlasticSleeves(NoSuffix) ?Strai

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    F2955NBGK

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻開(kāi)關(guān)

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 射頻類型:

    通用

  • 拓?fù)洌?/span>

    吸收

  • 電路:

    SP5T

  • 頻率范圍:

    50MHz ~ 8GHz

  • 隔離:

    43dB

  • 插損:

    2.3dB

  • 測(cè)試頻率:

    5.5GHz,8GHz

  • P1dB:

    36.5dBm

  • IIP3:

    60.5dBm

  • 阻抗:

    50 歐姆

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 5.25V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 105°C

  • 封裝/外殼:

    24-WFQFN 裸露焊盤(pán)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-VFQFPN(4x4)

  • 描述:

    VFQFPN 4.00X4.00X0.80 MM, 0.50MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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VFQFPN-24(4x4)
315000
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射頻開(kāi)發(fā)工具
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更多F2955NBGK供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-26 15:00:00