F1070中文資料Polyfet數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

廠商型號(hào) |
F1070 |
功能描述 | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR? |
文件大小 |
38.23 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Polyfet RF Devices |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Polyfet |
中文名稱 | Polyfet RF Devices官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-27 22:30:00 |
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General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high Ft enhance broadband performance
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
200Watts Gemini
Package Style AH
HIGH EFFICIENCY, LINEAR, HIGH GAIN, LOW NOISE
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
F1070
- 制造商:
POLYFET
- 制造商全稱:
Polyfet RF Devices
- 功能描述:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
南京國(guó)博 |
2020+ |
DFN2X2- |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
南京國(guó)博 |
23+ |
NA/ |
9070 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號(hào)開(kāi)票 |
詢價(jià) | ||
南京國(guó)博 |
25+ |
DFN2X2-8L |
5820 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
POLYFET |
24+ |
SMD |
5500 |
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談 |
詢價(jià) | ||
T&B |
23+ |
NA |
279 |
專(zhuān)做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
南京國(guó)博 |
21+ |
DFN2X2-8L |
5820 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
N/A |
21+ |
7540 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | |||
TI/TEXAS |
23+ |
PLCC-44 |
8931 |
詢價(jià) | |||
POLYFET |
NA |
5500 |
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨 |
詢價(jià) | |||
NS |
23+ |
TSSOP20 |
4500 |
全新原裝、誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、公司現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢價(jià) |