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F0118G

GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode (950 nm, Enhanced Power) GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power)

Features ?Typ.totalradiantpower:24mW@100mAin TOPLED?package. ?Chipsize300x300μm2 ?Peakwavelength:950nm ?VeryhighlyefficientGaAsLED ?Goodlinearity(Ie=f[IF])athighcurrents ?DCorpulsedoperationsarepossible ?Highreliability ?Highpulsehandlingcapa

OSRAMOSRAM GmbH

艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導(dǎo)體

HRN-0118

HornAntenna

TDKTDK Corporation

TDK株式會(huì)社東電化（中國）投資有限公司

IBHC0118

LEDLAMPS

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IEGC0118

infraredemittingdiode

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IGHC0118

LEDLAMPS

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phototransistorinminiatureSMDpackage

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ISRVGC0118

miniaturechiptypedesignedforsurfacemounting

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更多F0118G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-18 15:00:00

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