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IXTT110N10P

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·SwitchModePowerSupply(SMPS) ·UninterruptiblePowerSupply(UPS) ·PowerFactorCorrection(PFC)

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXTT110N10P

N-ChannelEnhancementMode

PolarHT?PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode Features ?Internationalstandardpackages ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages ?Easytomount ?Spacesavings ?Highpowerdensity

IXYS

IXYS Corporation

SUM110N10

N-Channel100V(D-S)175°CMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

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更多ET110N10-Z供應商 更新時間2025-3-30 10:00:00

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