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ESM2012DV

NPNDARLINGTONPOWERMODULE

■HIGHCURRENTPOWERBIPOLARMODULE ■VERYLOWRthJUNCTIONTOCASE ■SPECIFIEDACCIDENTALOVERLOADAREAS ■ULTRAFASTFREEWHEELINGDIODE ■FULLYINSULATEDPACKAGE(ULCOMPLIANT) ■EASYTOMOUNT ■LOWINTERNALPARASITICINDUCTANCE INDUSTRIALAPPLICATIONS: ■MOTORCONTROL

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ESM2012DV

NPNDARLINGTONPOWERMODULE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

E-TA2012

THERMALVARIABLEATTENUATORS

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

E-TA2012T

THERMALVARIABLEATTENUATORS

COPALCopal Electronics

尼得科科智博電子尼得科科智博電子(上海)有限公司

EUA2012

2.7-W/CHStereoFilter-lessClass-DAudioPowerAmplifier

EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

EUA2012A

2.5-W/CHStereoFilter-lessClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-Recovery

EUTECHEutech Microelectronics Inc

德信科技德信科技股份有限公司

F2012

PATENTEDGOLDMETALIZEDSILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR?

GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers.PolyfetTMrocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetim

Polyfet

Polyfet RF Devices

F2012ERW

LowCost,Compact20W,2:1InputRangeDC/DCConverters

KeyFeatures: ?20WOutputPower ?2:1InputVoltageRange ?1,500VDCIsolation ?Single&DualOutputs ?Efficiencyto86 ?Compact1.6x2In.Case ?-40°Cto+71°COperation ?IndustryStandardPin-Out ?LowestCost!!

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

F2012ERW

F2000ERWSERIES

MPD

MPD (Memory Protection Devices)

FAN2012

1.5ALowVoltageCurrentModeSynchronousPWMBuckRegulator

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    ESM2012DF

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl

  • 性質(zhì)：

    功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    125V

  • 最大電流允許值：

    120A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    4

  • 可代換的型號(hào)：

  • 最大耗散功率：

    175W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    G-54

  • vtest：

    125

  • htest：

    999900

  • atest：

    120

  • wtest：

    175

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    ESM2012DF

  • 功能描述：

    TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 125V V(BR)CEO | 120A I(C)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ST
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全新原裝正品,量大可訂貨!可開17%增值票!價(jià)格優(yōu)勢(shì)!
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專業(yè)代理銷售半導(dǎo)體模塊,能提供更多數(shù)量
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專業(yè)模塊
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模塊原裝主營(yíng)-可開原型號(hào)增稅票
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MODULE
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一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品
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更多ESM2012DF供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 16:30:00

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