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FCX718	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.16mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)96mΩat2.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FCX718	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features ?BVCEO=-20V ?IC=-2.5AContinuousCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX718	文件：50.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 6APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto6Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.16mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)96m?at2.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX718TA	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features ?BVCEO=-20V ?IC=-2.5AContinuousCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT718	文件：37.84 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT718	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：450.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ExtremelyLowSaturationVoltage ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Marking:718	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
FMMT718	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：1.13809 Mbytes Page：4 Pages	PNPTransistor Features ●ForSwitchingandAmplifierApplications. ●ExtremelyLowSaturationVoltage ●ComplementarytoNPNType:FMMT618	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半導體東莞市平晶半導體科技有限公司	PJSEMI
FMMT718TA	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-100V ?IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2.5APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718TC	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMTL718	文件：37.24 Kbytes Page：2 Pages	MediumPowerTransistor Features ●Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210mùat1.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FMMTL718	文件：63.45 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES Verylowequivalenton-resistance;RCE(sat)=210m?at1.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMTL718	文件：75.04 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARHIGHGAINMEDIUMPOWERTRANSISTOR FeaturesandBenefits ?BVCEO>-20V ?IC=-1AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-2APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMTL718TA	文件：235.57 Kbytes Page：5 Pages	20VPNPSILICONLOWSATURATIONTRANSISTORINSOT23	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FTD718	文件：367.26 Kbytes Page：2 Pages	TRIPLEDIFFUSEDNPNTRANSISTOR FEATURES ●Recommendedfor45~50WAudioFrequency AmplifierOutputStage. APPLICATIONS ●HighPowerAmplifier	FS First Silicon Co., Ltd	FS
G718	文件：81.81 Kbytes Page：1 Pages	DualRemoteResistor-ProgrammableTemperatureSwitches	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT

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詳細參數(shù)

型號：
ES718K
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
SHAVER

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多ES718K供應商更新時間2024-11-7 8:30:00

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