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EP9131	文件：30.36 Kbytes Page：1 Pages	SMD 28 Pin Passive Delay Lines SMD28PinPassiveDelayLines	PCA PCA ELECTRONICS INC.	PCA
G9131	文件：264.08 Kbytes Page：10 Pages	300mALow-DropoutLinearRegulators GeneralDescription TheG9131isalowsupplycurrent,lowdropoutlinearregulatorthatcomesinaspacesavingSOT-23package.Thesupplycurrentatno-loadis90μA.Anovertemperatureprotectioncircuitisbuilt-inintheG9131topreventthermaloverload.Thesepowersavingfeaturesmaketh	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
ICS9131	文件：300.67 Kbytes Page：8 Pages	32KhZMotherboardFrequencyGenerator GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
ICS9131	文件：295.07 Kbytes Page：8 Pages	32KhZMotherboardFrequencyGenerator GeneralDescription TheICS9131offersatinyfootprintsolutionforgeneratingaselectableCPUclockfroma32.768kHzcrystal.ThedeviceallowsavarietyofmicroprocessorstobeclockedbychangingthestateofaddresslinesFS0,FS1,andFS2.TheICS9131istheidealsolutionforreplacin	ICSTChina Resources Microelectronics Limited Limited 華潤(rùn)微電子華潤(rùn)微電子有限公司	ICST
IRF9131	文件：508.31 Kbytes Page：12 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
IRF9131	文件：290.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRF9131	文件：270.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFF9131	文件：687.87 Kbytes Page：2 Pages	Avalanche-Energy-RatedP-ChannelPowerMOSFETs -5.5Aand-6.5A,-60Vand-100VrDS(on)=0.30Ωand0.40Ω TheIRFF9130,IRFF9131,IRFF9132andIRFF9133areadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearep-channelenhancement-modesilicon-gat	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司	NJSEMI
IRFP9131	文件：378.27 Kbytes Page：6 Pages	P-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ?LowRDS(on) ?Improvedinductiveruggedness ?Fsatswitchingtimes ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?Lowinputcapacitance ?Extendedsafeoperatingarea ?Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半導(dǎo)體	Samsung
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IRFP9131	文件：314.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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KSZ9131	文件：3.08991 Mbytes Page：154 Pages	GigabitEthernetTransceiverwithRGMIISupport	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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