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KSD1221

SiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage -V(BR)CEO=60V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage -VCE(sat):=1.7V(Max)@IC=3A ·ComplementtoKSB906 APPLICATIONS ·Lowfrequencyamplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

LPAUN-1221W

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LPAUN-1221W/Q

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LPAUN-1221WSLASHQ

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

LT1221

150MHzOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1221

150MHz,250V/ms,A4OperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1221

OperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1221C

150MHzOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LT1221M

150MHzOperationalAmplifier

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

LWTN-1221

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

愛模愛模系統(tǒng)有限公司

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