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零件編號	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
EVAL-ADXL373Z	文件：1.1184 Mbytes Page：52 Pages	Micropower,3-Axis,?400g,DigitalOutput,MEMSAccelerometer	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
F-373P	文件：172.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERPCMountDualPrimary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FLUKE-373	文件：97.97 Kbytes Page：2 Pages	Workhorseclampwithincreasedperformanceandflexibility	FLUKEFluke Corporation 福祿克	FLUKE
G373	文件：60.88 Kbytes Page：2 Pages	MultipurposeEnclosures	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
G-373	文件：102.22 Kbytes Page：3 Pages	VersaKrimp??ParallelSplicefor2AWGWire	MOLEX4Molex Electronics Ltd. 莫仕	MOLEX4
HA373	文件：627.43 Kbytes Page：21 Pages	OCTALTRANSPARENTD-TYPELATCHESWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
HC373	文件：524.94 Kbytes Page：17 Pages	OCTALTRANSPARENTD-TYPELATCHESWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
HC373A	文件：122.45 Kbytes Page：7 Pages	Octal3-StateNon-InvertingTransparentLatch	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
HC373M	文件：310.58 Kbytes Page：5 Pages	OCTALTRANSPARENTD-TYPELATCHESWITH3-STATEOUTPUTS	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
HCS373D	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373DMSR	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373DTR	文件：95.83 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS373HMSR	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373K	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373KMSR	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373KTR	文件：95.83 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS373MS	文件：183.96 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Description TheIntersilHCS373MSisaRadiationHardenedoctaltransparentthree-statelatchwithanactive-lowoutputenable.TheHCS373MSutilizesadvancedCMOS/SOStechnology.T Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCS373MS	文件：547.51 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Features ?3MicronRadiationHardenedCMOSSOS ?TotalDose200KRAD(Si) ?SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg ?SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s ?DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse ?Lat	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
HCS373T	文件：95.83 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalTransparentLatch,Three-State Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-timeneedsoflargevolumesatellitemanufacturers,whilemaintainingahighlevelof	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HCT373	文件：52.61 Kbytes Page：5 Pages	Octal3-StateNoninvertingTransparentLatch(High-PerformanceSilicon-GateCMOS) Octal3-StateNoninvertingTransparentLatchHigh-PerformanceSilicon-GateCMOS TheSL74HCT373maybeusedasalevelconverterforinterfacingTTLorNMOSoutputstoHigh-SpeedCMOSinputs. TheSL74HCT373isidenticalinpinouttotheLS/ALS373. TheeightlatchesoftheSL74HCT373aretranspar	SLS System Logic Semiconductor	SLS

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晶體管資料

型號：
EFT373
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Ge-PNP
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
20V
最大電流允許值：
0.3A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
AC176,2N2430,
最大耗散功率：
0.25W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
C-47
vtest：
20
htest：
999900
atest：
0.3
wtest：
0.25

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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更多EFT373供應(yīng)商更新時間2025-1-9 15:13:00

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