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EFC4K110NUZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
EFC4K110NUZ |
參數(shù)屬性 | EFC4K110NUZ 封裝/外殼為10-SMD,無引線;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列;產(chǎn)品描述:NCH 24V 25A WLCSP DUAL |
功能描述 | MOSFET ??Power, Dual, N-Channel, for 1-2 Cells Lithium-ion Battery Protection 24 V, 2.95 m, 25 A |
絲印標(biāo)識 | |
封裝外殼 | WLCSP10 / 10-SMD,無引線 |
文件大小 |
199.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-16 23:00:00 |
人工找貨 | EFC4K110NUZ價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
EFC4K110NUZ規(guī)格書詳情
EFC4K110NUZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的EFC4K110NUZ晶體管 - FET,MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管,因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說,F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子,而不是同時使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
EFC4K110NUZTDG
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- FET 類型:
2 N 溝道(雙)共漏
- FET 功能:
標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓(Vdss):
24V
- 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
25A
- 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):
49nC @ 4.5V
- 功率 - 最大值:
2.5W
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
10-SMD,無引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
10-WLCSP(3.2x2.1)
- 描述:
NCH 24V 25A WLCSP DUAL
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
WLCSP10 |
7350 |
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詢價 | ||
ON |
24+ |
LCSP-6 |
20000 |
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ON Semiconductor |
21+ |
6EFCP (2.7x1.81) |
13880 |
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ON |
1618+ |
SMD |
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ON/安森美 |
2223+ |
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ONSEMI |
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詢價 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
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詢價 | ||
ON/安森美 |
23+ |
WLCSP-4 |
190000 |
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ON |
22+ |
NA |
542 |
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ON/安森美 |
21+ |
WLCSP-10 |
3112 |
正規(guī)渠道原裝正品 |
詢價 |