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ECUV1H150JCV中文資料恩智浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

ECUV1H150JCV
廠商型號(hào)

ECUV1H150JCV

功能描述

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

文件大小

478.77 Kbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二原廠數(shù)據(jù)手冊(cè)到原廠下載

更新時(shí)間

2024-11-1 17:27:00

ECUV1H150JCV規(guī)格書詳情

400--2400 MHz, 17.5 dB 33 dBm InGaP HBT GPA

The MMG3006NT1 is a general purpose amplifier that is internally input prematched and designed for a broad range of Class A, small--signal, high linearity, general purpose applications. It is suitable for applications with frequencies from 400 to 2400 MHz such as cellular, PCS, WLL, PHS, VHF, UHF, UMTS and general small--signal RF.

Features

● Frequency: 400--2400 MHz

● P1dB: 33 dBm @ 900 MHz

● Small--signal gain: 17.5 dB @ 900 MHz

● Third order output intercept point: 49 dBm @ 900 MHz

● Single 5 V supply

● Internally input prematched to 50 ohms

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