ECH8664R-TL-H_PULSECORE/安森美_MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8振鑫微電子2部

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  • 廠家型號:

    ECH8664R-TL-H

  • 產(chǎn)品分類:

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    PULSECORE/安森美

  • 庫存數(shù)量:

    589610

  • 產(chǎn)品封裝:

  • 生產(chǎn)批號:

    23+

  • 庫存類型:

    常用庫存

  • 更新時間:

    2024-11-17 9:08:00

  • 詳細信息
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原廠料號:ECH8664R-TL-H品牌:ON

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  • 芯片型號:

    ECH8664R-TL-H

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    7 頁

  • 文件大小:

    303.26 kb

  • 資料說明:

    N-Channel Power MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號:

    ECH8664R-TL-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH DUAL 30V 7A ECH8

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 標準包裝:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 個 N 溝道(雙) FET

  • 特點:

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss):

    60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C:

    3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安裝類型:

    表面貼裝

  • 封裝/外殼:

    PowerPAK? SO-8

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    PowerPAK? SO-8

  • 包裝:

    Digi-Reel®

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市振鑫微電子科技有限公司

  • 商鋪:

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    肖先生 張小姐 李先生

  • 手機:

    15889769346

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-83250901

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)沙頭街道天安社區(qū)深南大道6007號安徽大廈1614