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ECH8659-TL-H

PowerMOSFET

ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features ?4Vdrive ?Compositetype,

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

ECH8659-TL-H

N-ChannelPowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

ECH8659-TL-W

PowerMOSFET

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ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

HT8659

VoiceRecorder(DRAM)

HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek)

合泰合泰半導體

LB8659FN

DSCMotorDriver

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

LB8659PL

DSCMotorDriver

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

P-8659

POWERTRANSFORMERS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

S8659

18watt;pin-basedCompactFluorescent;4100K;82CRI;2G11base

SATCO

Satco Products, Inc.

TA8659N

MULTI-COLORVIDEO-CHROMA-DEFLECTION

FEATURES -Realizedafullautomaticmulti-color processingincoujunctionwiththe TAB615Nsystemswitch,withminimal externalcomponents. .Forcedsystemselection. -Automaticsystemchangebyasub-carrierdetection. .Themodechangeoutputcanbeusedforswitchingtheextern

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TGA8659-FL

13??5GHz4WPowerAmplifier

TriQuint

TriQuint Semiconductor

詳細參數

  • 型號：

    ECH8659-M-TL-H

  • 功能描述：

    MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多ECH8659-M-TL-H供應商 更新時間2025-1-21 15:14:00

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