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DTGN25N120	文件：1.50879 Mbytes Page：8 Pages	Extremely enhanced avalanche capability GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd	DINTEK
FGA25N120	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGA25N120AN	文件：377.85 Kbytes Page：4 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.5V@IC=25A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FGA25N120AN	文件：460.31 Kbytes Page：7 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheAN seriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS).	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA25N120AN	文件：926.86 Kbytes Page：6 Pages	Highspeedswitching	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
FGA25N120AND	文件：567.05 Kbytes Page：8 Pages	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesoffersansolutionforapplicationsuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Feature	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：867.85 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTTrenchIGBT Description UsingFairchild?sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：658.77 Kbytes Page：9 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA25N120ANTD	文件：385.96 Kbytes Page：4 Pages	NPTTrenchIGBT DESCRIPTION ·NPTTrenchTechnology,Positivetemperaturecoefficien ·Extremelyenhancedavalanchecapabilityt ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.0V(Typ.)@IC=25A APPLICATIONS ·SolarInverter,UPS,Welder,DigitalPowerGenerator ·Telecom,ESS	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FGA25N120ANTDTU	文件：1.38861 Mbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FGA25N120ANTDTU	文件：786.01 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25ANPTTrenchIGBT Description UsingFairchild?sproprietarytrenchdesignandadvancedNPTtechnology,the1200VNPTIGBTofferssuperiorconductionandswitchingperformances,highavalancheruggednessandeasyparalleloperation.Thisdeviceiswellsuitedfortheresonantorsoftswitchingapplicationsuchasi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGA25N120FTD	文件：815.52 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGH25N120FTDS	文件：711.13 Kbytes Page：9 Pages	1200V,25AFieldStopTrenchIGBT GeneralDescription Usingadvancedfieldstoptrenchtechnology,Fairchild’s1200VtrenchIGBTsoffertheoptimumperformanceforhardswitchingapplicationsuchassolarinverter,UPS,welderandPFCapplications. Features ?HighSpeedSwitching ?LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.60V@	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FGW25N120VD	文件：679.74 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)1200V/25A Features Lowpowerloss Lowswitchingsurgeandnoise Highreliability,highruggedness(RBSOA,SCSOAetc.) Applications InverterforMotordrive ACandDCServodriveamplifer Uninterruptiblepowersupply	FujiFuji Electric 富士電機富士電機株式會社	Fuji
HGH25N120A	文件：996.65 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementInsulatedGateBipolarTransistor	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 華汕電子器件汕頭華汕電子器件有限公司	Huashan
HIH25N120TN	文件：870.21 Kbytes Page：8 Pages	1200VNPTTrenchIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HM25N120FT	文件：1.21274 Mbytes Page：7 Pages	1200V/25ATrenchFieldStopIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
HM25N120T	文件：548.35 Kbytes Page：8 Pages	DAXIN??IGBTsofferlowerlossesandhigherenergyforapplicationsuchasmotordrive,UPS,inverterandothersoftswitchingapplications.	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導體深圳市華之美半導體有限公司	HMSEMI
IXEH25N120	文件：182.34 Kbytes Page：4 Pages	NPT3IGBT Features ?NPT3IGBT -positivetemperaturecoefficientof saturationvoltageforeasyparalleling -fastswitching -shorttailcurrentforoptimized performanceinresonantcircuits ?optionalHiPerFRED?diode -fastreverserecovery -lowoperatingforward	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGH25N120	文件：45.88 Kbytes Page：2 Pages	LowVCE(sat)HighspeedIGBT LowVCE(sat)HighspeedIGBT Features ?InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ?2ndgenerationHDMOSTMprocess ?LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses ?MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ?ACmotorspeedcontrol ?DCservoandrobotdrives ?DC	IXYS IXYS Corporation	IXYS

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