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DTC114TEB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DTC114TEB
廠商型號

DTC114TEB

參數(shù)屬性

DTC114TEB 封裝/外殼為SC-89,SOT-490;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

功能描述

NPN 100mA 50V Digital Transistor

文件大小

1.98338 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-2 23:15:00

DTC114TEB規(guī)格書詳情

Features

1) Built-In Biasing Resistor

2) Built-in bias resistors enable the configuration of

an inverter circuit without connecting external

input resistors (see inner circuit) .

3) Only the on/off conditions need to be set

for operation, making the circuit design easy.

4) Complementary PNP Types: DTA114T series

Application

INVERTER, INTERFACE, DRIVER

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DTC114TEBTL

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 1mA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-89,SOT-490

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    EMT3F(SOT-416FL)

  • 描述:

    TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT523
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