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DS1270W-100IND

3.3V 16Mb Nonvolatile SRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1270W-100IND

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1270W-100IND

包裝：管件 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術有限公司

DS1270W-100

3.3V16MbNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

產品屬性

  • 產品編號：

    DS1270W-100IND

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    16Mb（2M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）

  • 供應商器件封裝：

    36-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1270W-100IND供應商 更新時間2025-1-15 9:00:00

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