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DS1265W-150

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1265W-150

包裝：管件 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1265W-150-IND

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

Dallas

Dallas Semiconductor

DS1265W-150+

包裝：卷帶（TR） 封裝/外殼：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM NS 8MBIT PAR 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1265W-150

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Mb（1M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    150ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
MaximIntegratedProducts
2022
ICNVSRAM8MBIT150NS36DIP
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
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更多DS1265W-150供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 16:18:00

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