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DS1265W-100+

3.3V 8Mb Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1265W-100+

Package：36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1265W-100

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265W-100

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265W-100IND

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265W-100-IND

3.3V8MbNonvolatileSRAM

DESCRIPTION TheDS1265W8Mbnonvolatile(NV)SRAMsare8,388,608-bit,fullystatic,NVSRAMsorganizedas1,048,576wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondition

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1265W-100IND+

3.3V8MbNonvolatileSRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1265W-100+

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Mb（1M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    100ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    36-DIP 模塊（0.610"，15.49mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    36-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
MAXIM
13+
MOD
3758
原裝分銷
 詢價(jià)
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83267371鄒小姐
 詢價(jià)
更多DS1265W-100+供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 9:00:00

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