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DS1258Y-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

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Dallas Semiconductor

DS1258Y-70

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

DS1258Y-70

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:40-DIP 模塊(0.610",15.495mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258Y-70

包裝:管件 封裝/外殼:40-DIP 模塊(0.610",15.495mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1258Y-70-IND

128k x 16 Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS1258128kx16nonvolatile(NV)SRAMsare2,097,152-bitfullystatic,NVSRAMs,organizedas131,072wordsby16bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrythatconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchacondi

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DS1258Y-70#

128k x 16 Nonvolatile SRAM

MaximMaxim Integrated Products

美信美信半導(dǎo)體

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DS1258Y-70IND

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:40-DIP 模塊(0.610",15.495mm) 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DS1258Y-70

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲(chǔ)容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    40-DIP 模塊(0.610",15.495mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    40-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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2022
ICNVSRAM2MBIT70NS40DIP
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更多DS1258Y-70供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 16:18:00