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DS1245Y-120

1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體

DS1245Y-120

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1245Y-120IND

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

DS1245Y-120IND+

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

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亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    DS1245Y-120

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
DALLAS
2021+
DIP
6800
原廠原裝,歡迎咨詢
 詢價(jià)
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DIP
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免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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模塊/32
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價(jià)格優(yōu)勢(shì)、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢
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5000
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1802+
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只做原裝正品現(xiàn)貨,或訂貨假一賠十!
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256800
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
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2020+
DIP
5000
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價(jià)
更多DS1245Y-120供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-3 14:00:00

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