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DS1245AB-120

1024k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION TheDS12451024kNonvolatileSRAMsare1,048,576-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas131,072wordsby8bits.EachcompleteNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuc

DallasDallas Semiconductor

亞德諾亞德諾半導體

DS1245AB-120

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

DS1245AB-120

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

DS1245AB-120IND

包裝：管件 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

DS1245AB-120IND+

包裝：托盤 封裝/外殼：32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導體技術(shù)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    DS1245AB-120

  • 制造商：

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術(shù)：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    1Mb（128K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    120ns

  • 電壓 - 供電：

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    32-EDIP

  • 描述：

    IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DS1245AB-120供應(yīng)商 更新時間2024-12-23 10:12:00

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