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DRA718	文件：4.90637 Mbytes Page：440 Pages	Infotainment Applications Processor	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
DRA718	文件：62.5 Kbytes Page：3 Pages	Automotive Applications Processors Technical Brief	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
DRA718BIGCBDQ1	文件：5.21902 Mbytes Page：451 Pages	Infotainment Applications Processor	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
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DSK-718	文件：128.509 Kbytes Page：5 Pages	POWERDIVIDERS0?:2-WAY	SYNERGY Synergy Microwave Corporation	SYNERGY
FCX718	文件：52.1 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconPowerSwitchingTransistor Features ●2Wpowerdissipation. ●6Apeakpulsecurrent. ●ExcellentHFEcharacteristicsupto6Amps. ●ExtremelylowsaturationvoltageE.g.16mvTyp. ●Extremelylowequivalenton-resistance.RCE(sat)96mΩat2.5A.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FCX718	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features ?BVCEO=-20V ?IC=-2.5AContinuousCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX718	文件：50.24 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 2WPOWERDISSIPATION 6APeakPulseCurrent ExcellentHFECharacteristicsupto6Amps ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.16mvTyp. *ExtremelyLowEquivalentOn-resistance;RCE(sat)96m?at2.5A	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX718TA	文件：71.08 Kbytes Page：3 Pages	SOT89PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR Features ?BVCEO=-20V ?IC=-2.5AContinuousCurrent ?LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT718	文件：37.84 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT718	文件：183 Kbytes Page：7 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTOR FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features ?BVCEO>-12V ?IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent ?ICM=-10APeakPulseCurrent ?LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. ?RCE(sat)=72m?at2.5Aforalowequivalenton-resistance ?625mWpowerdissipation ?hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT718	文件：450.95 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconPlanarHighPerformanceTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?ExtremelyLowSaturationVoltage ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Marking:718	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC

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更多DRA718供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 9:28:00

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