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DMP2123L	文件：193.29 Kbytes Page：2 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowRDS(ON): ?72mΩ@VGS=-4.5V ?108mΩ@VGS=-2.7V ?123mΩ@VGS=-2.5V ?LowInput/OutputLeakage ?LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability ?GreenDevice(Note4)	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMP2123L-7	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowRDS(ON) ?72mΩ@VGS=-4.5V ?108mΩ@VGS=-2.7V ?123mΩ@VGS=-2.5V ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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DMP2123LQ	文件：1.94327 Mbytes Page：5 Pages	-20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotectionorinotherSwitchingapplication. TheusesadvancedtrenchtechnologyDMP2123LQ GeneralFeatures VDS=-20VID =-2.3A RDS(ON)	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司	LEIDITECH
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DMP2123LQ-7	文件：494.48 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features ?LowRDS(ON) -72m?@VGS=-4.5V -108m?@VGS=-2.7V -123m?@VGS=-2.5V ?LowInput/OutputLeakage ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliabil	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
E2123S	文件：74.24 Kbytes Page：1 Pages	3C207/28BCFLEXOASFLEXSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Electric 通用電氣公司美國通用電氣公司	GENERAL
ECQB2123MF	文件：133.27 Kbytes Page：6 Pages	PlasticFilmCapacitors	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
DMP2123L
制造商：
DIODES
制造商全稱：
Diodes Incorporated
功能描述：
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	DMP2123L	DIODES	24+		15000		詢價
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更多DMP2123L供應(yīng)商更新時間2024-11-17 10:50:00

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