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DMN3029LFG

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3029LFG_15

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3029LFG-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

DMN3029LFG-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI?

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導(dǎo)體

EK-3029

Electretcondensermicrophone-SupplyVoltagerange:0.9to10VDC

KNOWLESKnowles Electronics

樓氏電子樓氏電子(蘇州)有限公司

EPC3029G

SurfaceMountPowerTransformer

PCA

PCA ELECTRONICS INC.

EV-COG-AD3029LZ

UltraLowPowerArmCortex-M3MCUwithIntegratedPowerManagement

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

EV-COG-AD3029WZ

UltraLowPowerArmCortex-M3MCUwithIntegratedPowerManagement

ADAnalog Devices

亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

GC3029

Singleratio(seeschematic),thru-holepackage

MPSINDMPS Industries, Inc.

美國芯源

GM3029

Singleratio(seeschematic),thru-holepackage

MPSINDMPS Industries, Inc.

美國芯源

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    DMN3029LFG

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMN3029LFG供應(yīng)商 更新時間2025-6-11 16:06:00

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