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DMG9N65CT	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	Low Input Capacitance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG9N65CT	文件：305.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
DMG9N65CT_15	文件：233.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG9N65CTI	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	Low Input Capacitance	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DMG9N65CTI	文件：296.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
DMG9N65CTI_15	文件：438.34 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FIR9N65LG	文件：1.42745 Mbytes Page：6 Pages	AdvancedN-ChPowerMOSFET-S	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
IRFB9N65	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N65A	文件：102.48 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=650V,Rds(on)max=0.93ohm,Id=8.5A) HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IRFB9N65A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N65A	文件：329.14 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRFB9N65A	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：180.51 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
IRFB9N65APBF	文件：129.94 Kbytes Page：8 Pages	SMPSMOSFET HEXFET?PowerMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimpleDriveRequirement ●ImprovedGate,AvalancheandDynamicdv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent Applications ●SwitchModePowerSupply(SMPS) ●UninterruptiblePowerSupply ●	IRF International Rectifier	IRF
IXFH9N65	文件：295.27 Kbytes Page：8 Pages	HIPERFETPowerMOSFTETs HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.	IXYS IXYS Corporation	IXYS
MTN9N65BFP	文件：527.23 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTN9N65CFP	文件：527 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
SIHFB9N65A	文件：158.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFB9N65A	文件：1.1078 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES ?Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg ?Lowinputcapacitance(Ciss) ?Reducedswitchingandconductionlosses ?Ultralowgatecharge(Qg) ?Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS ?Serverandtelecompowersupplies ?Switchmodepowersupplies(SMPS) ?Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
DMG9N65CT
功能描述：
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 650V 10V VGS 9.0A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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