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DMG6601LVT

Marking:66G;Package:SOT23-6;N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

ProductSummary N-Channel Vps=30V,Ip=4A Ros(on)30mQ@Ves=10V(Typ) Ros(on)50mQ@Ves=-4.5V(Typ) P-Channel Vos=-30V,Ip=3A Ros(on)45mQ@Ves=-10V(Typ) Rosion)85mQ@Ves=-4.5V(Typ)

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

DMG6601LVT

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DMG6601LVT_15

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

DMG6601LVT-7

COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET

DIODES

Diodes Incorporated

E6601A

CalibrationandAdjustmentSoftwareforAgilentRF/WInstruments

HPAgilent(Hewlett-Packard)

安捷倫科技安捷倫科技有限公司

EFC6601R

Lithium-ionbatterycharginganddischargingswitch

Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

EFC6601R

N-ChannelPowerMOSFET

Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

EFC6601R-TR

N-ChannelPowerMOSFET

Features ?2.5Vdrive ?Protectiondiodein ?Common-draintype ?Halogenfreecompliance ?2KVESDHBM

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FP6601Q

USBDedicatedChargingPortControllerforFastChargingProtocolandQC2.0/3.0

FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc.

天鈺科技天鈺科技股份有限公司

FTK6601S

P-channelandN-channelComplementaryMOSFETS

FS

First Silicon Co., Ltd

詳細參數(shù)

  • 型號:

    DMG6601LVT

  • 功能描述:

    MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多DMG6601LVT供應商 更新時間2025-1-31 16:20:00