DGD2117S8-13_集成電路(IC) 柵極驅(qū)動(dòng)器-PAM

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原廠料號(hào):DGD2117S8-13品牌:Diodes Incorporated

資料說(shuō)明:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

DGD2117S8-13是集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器。制造商PAM/Diodes Incorporated生產(chǎn)封裝8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)的DGD2117S8-13柵極驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來(lái)自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號(hào)連接到電源被控制通過(guò)的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體配置相關(guān)。

  • 芯片型號(hào):

    dgd2117s8-13

  • 規(guī)格書(shū):

    原廠下載 下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng):

    PAM詳情

  • 廠商全稱(chēng):

    Diodes Incorporated

  • 資料說(shuō)明:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DGD2117S8-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類(lèi)別:

    集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 驅(qū)動(dòng)配置:

    高端

  • 通道類(lèi)型:

    單路

  • 柵極類(lèi)型:

    IGBT,N 溝道 MOSFET

  • 電壓 - 供電:

    10V ~ 20V

  • 邏輯電壓?- VIL,VIH:

    6V,9.5V

  • 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):

    290mA,600mA

  • 輸入類(lèi)型:

    非反相

  • 上升/下降時(shí)間(典型值):

    75ns,35ns

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-SO

  • 描述:

    IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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