DGD2012集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
DGD2012 |
參數(shù)屬性 | DGD2012 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動(dòng)器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K |
功能描述 | HIGH-SIDE AND LOW-SIDE GATE DRIVER |
文件大小 |
497.02 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
11 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Diodes Incorporated |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
DIODES |
中文名稱 | Diodes Incorporated官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-5 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
DGD2012S8-13
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝:
管件
- 驅(qū)動(dòng)配置:
半橋
- 通道類型:
獨(dú)立式
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
10V ~ 20V
- 邏輯電壓?- VIL,VIH:
0.8V,2.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1.9A,2.3A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時(shí)間(典型值):
40ns,20ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SO
- 描述:
IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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