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DG636EQ-T1-E3

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

FEATURES ?Ultralowchargeinjection (±0.5pC,typ.overthefullanalogsignalrange) ?Leakagecurrent

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG636EQ-T1-E3

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

DG636EQ-T1-E3

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    DG636EQ-T1-E3

  • 功能描述:

    模擬開關(guān) IC Dual SPDT Switches

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 開關(guān)數(shù)量:

    2

  • 開關(guān)配置:

    SPDT

  • 開啟電阻(最大值):

    0.1 Ohms

  • 工作電源電壓:

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    DSBGA-16

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
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更多DG636EQ-T1-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-8 16:10:00