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DF900R12IP4D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

DF900R12IP4D
廠商型號(hào)

DF900R12IP4D

參數(shù)屬性

DF900R12IP4D 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W

功能描述

PrimePACK?? Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr??erer Emitter Controlled 4 Diode
IGBT MOD 1200V 900A 5100W

封裝外殼

模塊

文件大小

1.24599 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-31 15:04:00

DF900R12IP4D規(guī)格書(shū)詳情

DF900R12IP4D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的DF900R12IP4D晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    DF900R12IP4DVBOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    PrimePACK?2

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    單斬波器

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.05V @ 15V,900A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 900A 5100W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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