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DE275-201N25A中文資料IXYS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
DE275-201N25A規(guī)格書詳情
N-Channel Enhancement Mode
Low Qgand Rg
High dv/dt
Nanosecond Switching
Ideal for Class C, D, & E Applications
Features
? Isolated Substrate
? high isolation voltage (>2500V)
? excellent thermal transfer
? Increased temperature and power cycling capability
? IXYS advanced low Qgprocess
? Low gate charge and capacitances
? easier to drive
? faster switching
? Low RDS(on)
? Very low insertion inductance (<2nH)
? No beryllium oxide (BeO) or other hazardous materials
Advantages
? Optimized for RF and high speed switching at frequencies to 100MHz
? Easy to mount—no insulators needed
? High power density
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
DE275-201N25A
- 制造商：
IXYS Corporation
- 功能描述：
MOSFET N RF DE275
- 功能描述：
MOSFET, N, RF, DE275
- 功能描述：
MOSFET, N, RF, DE275; Transistor
- Type：
RF MOSFET; Drain Source Voltage
- Vds：
200V; Continuous Drain Current
- Id：
25A; Power Dissipation
- Pd：
590W; Operating Temperature
- Min：
-55C; Operating Temperature
- Max：
175C; No. of
- Pins：
6 ;RoHS
- Compliant：
Yes
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
20+ |
原裝模塊 |
368 |
樣品可出,原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
2021+ |
DIP |
1600 |
自家?guī)齑?百分之百原裝 |
詢價(jià) | ||
IC |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種 |
詢價(jià) | |||
SEEQ |
23+ |
原裝原封 |
8888 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
SEEE |
21+ |
CDIP |
502 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
23+ |
DIP |
66800 |
原廠授權(quán)一級(jí)代理,專注汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源！ |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
22+ |
CDIP |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
24+ |
DIP-24 |
105 |
詢價(jià) | |||
SEEE |
23+ |
CDIP |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
SEEQ |
21+ |
35200 |
一級(jí)代理/放心采購(gòu) |
詢價(jià) |
