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DDTB114GC-7-F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

DDTB114GC-7-F
廠商型號

DDTB114GC-7-F

參數(shù)屬性

DDTB114GC-7-F 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

功能描述

PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件大小

78.04 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Diodes Incorporated
企業(yè)簡稱

DIODES

中文名稱

Diodes Incorporated官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-5 23:00:00

DDTB114GC-7-F規(guī)格書詳情

Features

? Epitaxial Planar Die Construction

? Complementary NPN Types Available (DDTD)

? Built-In Biasing Resistors, R1, R2

? Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    DDTB114GC-7-F

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    56 @ 5mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 2.5mA,50mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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