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DBL1012	文件：222.69 Kbytes Page：5 Pages	DUALPREAMPLIFIER DUALPREAMPLIFIER	DAEWOO Daewoo Semiconductor	DAEWOO
DI1012S	文件：70.55 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountBridgeRectifier-Glasspassivatedtype Glasspassivatedtype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Highsurgecurrentcapability ?I	FORMOSAFormosa MS 美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司	FORMOSA
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DMD1012-A	文件：32.87 Kbytes Page：2 Pages	ROHSCOMPLIANTMETALGATERFSILICONFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
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DMG1012T	文件：1.91523 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
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DMG1012UW	文件：2.64683 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司	TECHPUBLIC
DMG1012UWQ	文件：530.36 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features ?LowOn-Resistance ?LowGateThresholdVoltage ?LowInputCapacitance ?FastSwitchingSpeed ?LowInput/OutputLeakage ?ESDProtected ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?TheDMG1012UWQissuitablefo	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DML1012LDS	文件：1.11404 Mbytes Page：12 Pages	SINGLECHANNELSMARTLOADSWITCH Features ?LowRDS(ON)–EnsuresOn-StateLossesAreMinimized ?0.8VtoVBIAS–1.5VInputVoltageRange ?6AContinuousCurrent ?LowRDS(ON)InternalNFETs 8mΩatVBIAS=5V,VIN=1.05V,TA=+85°C ?28μALowQuiescentCurrent ?10μsTurnOnRiseTime ?3.2Vto5.5VBiasVoltage ?Int	DIODES Diodes Incorporated	DIODES

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更多D1012Q供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-24 10:50:00

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