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D100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
D100N03L-1	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL 30V - 0.0045??- 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
FIR100N03DFNG	文件：4.39155 Mbytes Page：7 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03LG	文件：3.4815 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
FIR100N03PG	文件：3.33162 Mbytes Page：6 Pages	30V-ChannelMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半導(dǎo)體深圳市福斯特半導(dǎo)體有限公司	FOSTER
HLDD100N03	文件：1.00544 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HUILIDAShenzhen hui lida electronic co., LTD 匯利達(dá)廣東匯利達(dá)半導(dǎo)體有限公司	HUILIDA
HM100N03	文件：710.75 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM100N03D	文件：435.02 Kbytes Page：6 Pages	HighdensitycelldesignforultralowRdson	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
PHB100N03LT	文件：305.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=25V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5.8mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
PHB100N03LT	文件：331.22 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Lowon-stateresistance ■Avalancheruggednessrated ■Logiclevelcompatible ■Surfacemountpackage. Applications ■DCtoDCconverters ■	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
RES100N03	文件：44.16 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,10A) Features 1)LowQg. 2)Lowon-resistance. 3)Exellentresistancetodamagefromstaticelectric Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RRS100N03-TB	文件：1.00656 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RSH100N03	文件：173.81 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RSS100N03	文件：59.93 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,?10A) Switching(30V,±10A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallandSurfaceMountPackage(SOP8). Applications Powerswitching,DC/DCconverter.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RSS100N03FRA	文件：2.50526 Mbytes Page：15 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RSS100N03HZG	文件：2.51849 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V10APowerMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RSS100N03TB	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RXH100N03	文件：1.13347 Mbytes Page：7 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(SOP8). Application Switching	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
STD100N03L	文件：240.65 Kbytes Page：14 Pages	N-CHANNEL30V-0.0045??-80A-DPAK-IPAKPlanarSTripFET??MOSFET Description ThisMOSFETisthelatestrefinementofSTMicroelectronicunique“SingleFeatureSize?”stripbasedprocess.Theresultingtransistorshowsextremelyhighpackingdensityforlowonresistance,ruggedavalanchecharacteristics,lowgatechargeandlesscriticalaligmentstepstherefore	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團	STMICROELECTRONICS
SW100N03	文件：509.06 Kbytes Page：5 Pages	N-channelMOSFET GeneralDescription ThisN-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorusingSAMWINsemiconductor’sadvancedplanarstripe,DMOStechnologyintendedforbatteryOperatedsystemslikeaDC-DCconvertermotorcontrol,ups,audioamplifier.Also,especiallydesignedtominimizeRDS(ON)	SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd. 芯派科技芯派科技股份有限公司	SEMIPOWER

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
D100N03L
制造商：
STMICROELECTRONICS
制造商全稱：
STMicroelectronics
功能描述：
N-CHANNEL 30V - 0.0045з - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET⑩ MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	D100N03ZA	N	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	D100N03ZA	N	TO-252	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
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深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	D100N03ZA	VBSEMI/臺灣微碧	22+	TO-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市恒諾芯科技有限公司	D100N03ZA	DOINGTER	2325+	TO-252	33000	無敵價格主銷品牌正規(guī)渠道訂貨免費送樣!!!	詢價
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更多D100N03L供應(yīng)商更新時間2024-12-24 10:06:00

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