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CY7C2265KV18-550BZXI

36-Mbit QDR? II SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C2265KV18-550BZXI

包裝：托盤 封裝/外殼：165-LBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY7C2265KV18-550BZXC

36-MbitQDR?IISRAMFour-WordBurstArchitecture(2.5CycleReadLatency)withODT

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    CY7C2265KV18-550BZXI

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 同步，QDR II+

  • 存儲(chǔ)容量：

    36Mb（1M x 36）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    165-FBGA（13x15）

  • 描述：

    IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C2265KV18-550BZXI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-7 15:10:00

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