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CY7C1312KV18-250BZI

18-Mbit QDR? II SRAM Two-Word Burst Architecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1312KV18-250BZI

包裝:卷帶(TR) 封裝/外殼:165-LBGA 類別:集成電路(IC) 存儲(chǔ)器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

CYP

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1312KV18-250BZC

18-MbitQDR?IISRAMTwo-WordBurstArchitecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C1312KV18-250BZXC

18-MbitQDR?IISRAMTwo-WordBurstArchitecture

FunctionalDescription TheCY7C1312KV18,CY7C1314KV18,andCY7C1910KV18are1.8VSynchronousPipelinedSRAMs,equippedwithQDRIIarchitecture.QDRIIarchitectureconsistsoftwoseparateports:thereadportandthewriteporttoaccessthememoryarray.Thereadporthasdedicateddataoutpu

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    CY7C1312KV18-250BZI

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲(chǔ)器類型:

    易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存儲(chǔ)容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-LBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
CYPRESS
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更多CY7C1312KV18-250BZI供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-15 13:43:00