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CY7C106BN-20VC

256K x 4 Static RAM

FunctionalDescription TheCY7C106BNandCY7C1006BNarehigh-performanceCMOSstaticRAMsorganizedas262,144wordsby4bits.EasymemoryexpansionisprovidedbyanactiveLOWChipEnable(CE),anactiveLOWOutputEnable(OE),andthree-statedrivers.Thesedeviceshaveanautomaticpower-dow

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賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司

CY7C106BN-20VC

256K x 4 Static RAM

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更多CY7C106BN-20VC供應(yīng)商 更新時間2025-3-16 10:30:00

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