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CY14B256L-SZ35XCT集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

CY14B256L-SZ35XCT
廠商型號

CY14B256L-SZ35XCT

參數(shù)屬性

CY14B256L-SZ35XCT 封裝/外殼為32-SOIC(0.295",7.50mm 寬);包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC

功能描述

256-Kbit (32K x 8) nvSRAM

封裝外殼

32-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

文件大小

1.21462 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 CypressSemiconductor
企業(yè)簡稱

Cypress賽普拉斯

中文名稱

賽普拉斯半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-25 17:24:00

CY14B256L-SZ35XCT規(guī)格書詳情

Functional Description

The Cypress CY14B256L is a fast static RAM with a nonvolatile element in each memory cell. The embedded nonvolatile elements incorporate QuantumTrap technology producing the world’s most reliable nonvolatile memory. The SRAM provides unlimited read and write cycles, while independent, nonvolatile data resides in the highly reliable QuantumTrap cell. Data transfers from the SRAM to the nonvolatile elements (the STORE operation) takes place automatically at power down. On power up, data is restored to the SRAM (the RECALL operation) from the nonvolatile memory. Both the STORE and RECALL operations are also available under software control. A hardware STORE is initiated with the HSB pin.

Features

■ 25 ns, 35 ns, and 45 ns access times

■ Pin compatible with STK14D88

■ Hands off automatic STORE on power down with only a small capacitor

■ STORE to QuantumTrap? nonvolatile elements is initiated by software, hardware, or AutoStore? on power down

■ RECALL to SRAM initiated by software or power up

■ Unlimited READ, WRITE, and RECALL cycles

■ 200,000 STORE cycles to QuantumTrap

■ 20 year data retention at 55°C

■ Single 3V +20, –10 operation

■ Commercial and industrial temperature

■ 32-pin (300 mil) SOIC and 48-pin (300 mil) SSOP packages

■ RoHS compliance

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    CY14B256L-SZ35XCT

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    35ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    32-SOIC(0.295",7.50mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    32-SOIC

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 32SOIC

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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