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CY14B104NA-ZS45XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

CypressCypressSemiconductor

賽普拉斯賽普拉斯半導體公司

CY14B104NA-ZS45XIT

4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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CY14B104NA-ZS45XIT

4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times

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CY14B104NA-ZS45XIT

4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM

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包裝：托盤 封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

Cypress Semiconductor Corp

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CY14B104NA-ZS45XC

4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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CY14B104NA-ZS45XCT

4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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CY14B104NA-ZS45XI

4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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4-Mbit(512K?8/256K?16)nvSRAM

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4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM

FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo

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4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM20ns,25ns,and45nsaccesstimes

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4-Mbit(512K?8/256K?16)nvSRAM

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    CY14B104NA-ZS45XIT

  • 制造商：

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    NVSRAM

  • 技術：

    NVSRAM（非易失性 SRAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    45ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    44-TSOP II

  • 描述：

    IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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2200
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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全新、原裝
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44-TSOP II
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更多CY14B104NA-ZS45XIT供應商 更新時間2024-12-22 14:00:00

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