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CY14B104LA-ZS45XIT	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XIT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4 Mbit (512K x 8/256K x 16) nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XIT	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XIT	文件：991.18 Kbytes Page：24 Pages	4-Mbit (512 K ? 8/256 K ? 16) nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XIT	文件：961.93 Kbytes Page：25 Pages	4-Mbit (512 K x 8/256 K x 16) nvSRAM 20 ns, 25 ns, and 45 ns access times	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XIT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）封裝/外殼：44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）類別：集成電路（IC）存儲(chǔ)器描述：IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
CY14B104LA-ZS45XC	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XCT	文件：863.54 Kbytes Page：23 Pages	4Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XI	文件：988.32 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512Kx8/256Kx16)nvSRAM FunctionalDescription TheCypressCY14B104LA/CY14B104NAisafaststaticRAM,withanonvolatileelementineachmemorycell.Thememoryisorganizedas512Kbytesof8bitseachor256Kwordsof16bitseach.TheembeddednonvolatileelementsincorporateQuantumTraptechnology,producingthewo	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
CY14B104LA-ZS45XI	文件：977.41 Kbytes Page：26 Pages	4-Mbit(512K?8/256K?16)nvSRAM	CypressCypressSemiconductor 賽普拉斯賽普拉斯半導(dǎo)體公司	Cypress
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
CY14B104LA-ZS45XIT
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
包裝：
卷帶（TR）
存儲(chǔ)器類型：
非易失
存儲(chǔ)器格式：
NVSRAM
技術(shù)：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲(chǔ)容量：
4Mb（512K x 8）
存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
寫周期時(shí)間 - 字，頁：
45ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
44-TSOP II
描述：
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳龐田科技有限公司	CY14B104LA-ZS45XIT	CYPRESS/賽普拉斯	2023+	TSOPII-44	4900	專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)等方案配套一站式服務(wù)	詢價(jià)
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