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CTLM1034-M832D分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

CTLM1034-M832D
廠商型號

CTLM1034-M832D

參數屬性

CTLM1034-M832D 封裝/外殼為8-TDFN 裸露焊盤;包裝為散裝;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產品描述:TRANS NPN 25V 1A TLM832D

功能描述

MULTI DISCRETE MODULE ??SURFACE MOUNT LOW VCE (SAT) SILICON NPN TRANSISTOR AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
TRANS NPN 25V 1A TLM832D

封裝外殼

8-TDFN 裸露焊盤

文件大小

241.89 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Central Semiconductor Corp
企業(yè)簡稱

Central

中文名稱

美國中央半導體官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-21 19:10:00

CTLM1034-M832D規(guī)格書詳情

CTLM1034-M832D屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個。由美國中央半導體制造生產的CTLM1034-M832D晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CTLM1034-832D consists of a Low VCE(SAT) NPN Transistor and Low VF Schottky Rectifier. Packaged in a small, thermally efficient, leadless 3x2mm surface mount case, it is designed for applications where small size, operational efficiency, and low energy consumption are the prime requirements. Due to its leadless package design this device is capable of dissipating up to 4 times the power of similar devices in comparable sized surface mount packages.

FEATURES

? Dual Chip Device

? High Current (1.0A) Transistor and Schottky Rectifier

? Low VCE(SAT) NPN Transistor (450mV @ IC=1.0A MAX)

? Low VF Schottky Rectifier (550mV @ 1.0A MAX)

? High Power to Footprint Ratio of 275mW per sq mm

(Package Power Dissipation / Package Surface Area)

? Small TLM 3x2mm Leadless Surface Mount Package

? Complementary Device: CTLM1074-M832D

APPLICATIONS

? Switching Circuits

? DC / DC Converters

? LCD Backlighting

? Battery powered / Portable Equipment

applications including Cell Phones,

Digital Cameras, Pagers, PDAs,

Notebook PCs, etc.

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    CTLM1034-M832D TR

  • 制造商:

    Central Semiconductor Corp

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN + 二極管(隔離式)

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    450mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-TDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝:

    TLM832D

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 1A TLM832D

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