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D458	文件：221.5 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=400V(Min) ?HighPowerDissipation-:PC=80W(Max)@TC=25℃ APPLICATIONS ?Designedforhighpoweramplifierandswitchingapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
DG458	文件：131.24 Kbytes Page：10 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458	文件：90.74 Kbytes Page：8 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458	文件：160.11 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458	文件：162.08 Kbytes Page：13 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers FEATURES ?FaultandOvervoltageProtection ?AllChannelsOffWhenPowerOff ?Latchup-Proof ?FastSwitching-tA:200ns ?Break-Before-MakeSwitching ?LowOn-Resistance:180W ?LowPowerConsumption:3mW ?TTLandCMOSCompatibleInputs BENEFITS ?ImprovedRuggedness ?PowerLo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
DG458DJ	文件：90.74 Kbytes Page：8 Pages	Fault-ProtectedSingle8-Ch/Differential4-ChAnalogMultiplexers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
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FCX458	文件：51.9 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighVoltageTransistor Features ●400VoltVCEO ●Ptot=1Watt	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FCX458	文件：27.74 Kbytes Page：1 Pages	SOT89PNPSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ●BVCEO>-400V ●IC=-200mAHighContinuousCurrent ●ICM=-500mAPeakPulseCurrent ●ExcellenthFECharacteristicsupto-100mA ●LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：29.25 Kbytes Page：1 Pages	SOT89NPNSILICONPLANAR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：18.44 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR FEATURES 400VoltVCEO Ptot=1Watt COMPLEMENTARYTYPE–FCX558 PARTMARKINGDETAIL–N58	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FCX458	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：499.8 Kbytes Page：7 Pages	400VNPNHIGHVOLTAGETRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FCX458TA	文件：25.12 Kbytes Page：2 Pages	SOT89NPNSILICONPLANARHIGHVOLTAGETRANSISTOR Features ?BVCEO>400V ?IC=225mAContinuousCollectorCurrent ?ICM=500mAPeakPulseCurrent ?ExcellenthFECharacteristicsupto100mA ?LowsaturationvoltageVCE(sat)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FDLL458	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
FDLL458A	文件：38.98 Kbytes Page：2 Pages	HighConductanceLowLeakageDiode	NSCNational Semiconductor (TI) 美國國家半導體美國國家半導體公司	NSC
FDT458P	文件：99.75 Kbytes Page：5 Pages	30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers,andbatterychargers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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詳細參數(shù)

型號：
CSC458C
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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